FIB/TEM制樣與分析服務(wù)
廣電計量的資質(zhì)能力處于行業(yè)*水平，截止至2021年12月31日，CNAS認可7166項，CMA認可59345個參數(shù)，CATL認可覆蓋 58個類別；在支撐各區(qū)域產(chǎn)業(yè)?質(zhì)量發(fā)展過程中，廣電計量還獲得政府、行業(yè)及社會組織頒發(fā)的資質(zhì)榮譽100余項。
我司集成電路檢測試驗可對包括晶圓、半導體器件提供微觀結(jié)構(gòu)分析、材料形貌分析、膜層分析、成分分析等檢測分析服務(wù)。
晶圓制造工藝分析：
1、14nm及以上制程芯片晶囿制造工藝分析
2、MOSFET制造工藝分析
3、存儲芯片制造工藝分析
芯片失效分析：
1、芯片失效點位置分析，包含漏電、短路、燒毀、異物等異常失效點位的平面制樣分析、截面制樣分析以及平面轉(zhuǎn)截面分析。
包含形貌觀察、尺寸量測、成分分析，可精準到1.0 nm以內(nèi)。
2、芯片制造工藝缺陷分析，包含形貌觀察、尺寸量測、成分分析，可精準到1.0 nm以內(nèi)。
芯片逆向分析：
1.芯片關(guān)鍵工藝結(jié)構(gòu)剖析，包含尺寸量測、成分分析等。
半導體器件失效分析 ：
1.MOSFET、VCSEL等半導體器件失效點位置分析，包含形貌觀察、尺寸量測、成分分析，可精準到1.0 nm以內(nèi)。
芯片及半導體器件封裝工藝分析：
1.封裝工藝異常分析，如TSV孔、Via孔、RDL布線層異常分析。
半導體工藝分析：
1.刻蝕工藝、鍍膜工藝等半導體工藝分析
材料分析：
1.材料成分分析、晶型分析、晶格缺陷分析、原子級高分辨分析等
