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產品簡介
ENGIS化合物材料研磨機InP GaAs GaN
ENGIS化合物材料研磨機InP GaAs GaN
產品價格：￥1
上架日期：2017-08-01 12:29:13
產地：日本
發(fā)貨地：上海
供應數(shù)量：不限
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詳細說明
    品牌：engis型號： 

    可用于2寸3寸4寸InP　GaAs　GaN 

    所屬系列：半導體加工設備-減薄拋光設備-研磨機 

    操作界面人性化，人機交流非常簡易 

    使用大粒徑研磨液將Wafer快速減薄 

    可以精確控制Wafer目標厚度，將Wafer減薄至接近目標厚度時，借助厚度控制夾具Wafer將懸空丌再被研磨，可以雙頭、單片、多片加工，適合研發(fā)、量產，可兼容多尺寸Wafer 

    設備的設計理念及特征 

    搭載開槽裝置的超高精密研磨設備EJW-400IFN　是采用高剛性機體和獨自開發(fā)的水冷式主 

    軸，經常保持一定的定盤溫度，并且可以在超低震動狀態(tài)下高精度旋轉。另外，由于采用 

    高精度的開槽裝置，設備可以經常維持穩(wěn)定高精度的定盤平坦度進行加工。 

    主要規(guī)格： 

    1-1研磨設備 

    設備型號EJW-400IFN 

    研磨盤直徑外徑φ380mm；內徑φ140mm 

    定盤轉速10~350rpm　可調（軟起動/停機） 

    主電機200V　1.5Kw　3相 

    加壓方式自重加壓 

    工件固定方式通過使用陶瓷修正輪用滾軸手臂固定 

    主軸部分高剛性水冷主軸 

    尺寸940mm×1600mm×1460mmH*含防塵蓋高度 

    重量1000Kg（NET）
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