電力表箱
摘要：本發(fā)明公開了一種電力表箱。其中，該電力表箱包括：采集裝置，設(shè)置在電力表箱的出線端口上，用于采集電力表箱的電力數(shù)據(jù)；上傳裝置，設(shè)置在電力表箱的入線端口上，與采集裝置連接，用于上傳由采集裝置采集到的電力數(shù)據(jù)；多個供電裝置，多個供電裝置中的第一供電裝置與采集裝置連接，多個供電裝置中的第二供電裝置與上傳裝置連接，其中，第一供電裝置用于向采集裝置供電，第二供電裝置用于向上傳裝置供電。本發(fā)明解決了電力數(shù)據(jù)上傳穩(wěn)定性較差的技術(shù)問題。
1.一種電力表箱，其特征在于，包括：
采集裝置，設(shè)置在電力表箱的出線端口上，用于采集所述電力表箱的電力數(shù)據(jù)，其中， 所述電力數(shù)據(jù)包括：溫度值和/或濕度值、電流值以及開關(guān)信號量；
上傳裝置，設(shè)置在所述電力表箱的入線端口上，與所述采集裝置連接，用于上傳由所述 采集裝置采集到的所述電力數(shù)據(jù)；
多個供電裝置，所述多個供電裝置中的第一供電裝置與所述采集裝置連接，所述多個 供電裝置中的第二供電裝置與所述上傳裝置連接，其中，所述第一供電裝置用于向所述采 集裝置供電，所述第二供電裝置用于向所述上傳裝置供電。
電學(xué)器件
摘要：本發(fā)明涉及一種電學(xué)器件，包括絕緣基底及磁性摻雜拓撲絕緣體量子阱薄膜，該絕緣基底具有相對的第一表面及第二表面，該磁性摻雜拓撲絕緣體量子阱薄膜生長在該第一表面，該磁性摻雜拓撲絕緣體量子阱薄膜的材料由化學(xué)式Cry(BixSb1-x)2-yTe3表示，其中0< x< 1，0< y< 2，且x與y的值選擇為使鉻在該磁性摻雜拓撲絕緣體量子阱薄膜中引入的空穴型載流子與鉍在該磁性摻雜拓撲絕緣體量子阱薄膜中引入的電子型載流子基本相互抵消，該磁性摻雜拓撲絕緣體量子阱薄膜的厚度為3QL至5QL。
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