未來幾十年內，3DIC都將憑借著更低的成本、更小的體積，以及推動芯片功能進化等優(yōu)勢，成為未來半導體產業(yè)的新典范，而3D堆棧DRAM和3D邏輯SoC應用將成為推動3DIC技術獲得大量采用的最主要驅動力，接下來依序是CMOS影像傳感器、功率組件和MEMS等。所謂的wide I/O接口以及在28nm采用TSV技術來大量制造移動/平板產品專用應用處理器芯片的情況也將有可能發(fā)生。但事實上，要成功推動3DIC，除了技術問題，還涉及到復雜的供應鏈部份，它要改變的層面非常多。因此，包括三星和臺積電(TSMC)在內的晶圓代工巨擘們，都不停針對3DIC展開垂直整合布局，希望能滿足領先無晶圓廠半導體公司，如高通、博通、Marvell、NVIDIA和蘋果的需求，以及其它采取輕晶圓廠策略的業(yè)者如德州儀器、意法半導體和NEC /瑞薩等。
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未來在拓展3DIC業(yè)務時，業(yè)界必須尋求所謂的“虛擬IDM”模式，其中包括TSV蝕刻填充、布線、凸塊、晶圓測試和晶圓級組裝在內的中階晶圓處理部份，有報告指出，其市場規(guī)模預計可達38億美元。另外，后段的組裝和測試部份，如3DIC模塊等，預估將達46億美元，而這些，都代表著先進封裝產業(yè)未來可持續(xù)獲得成長的商機所在。
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