例如三星電子公司推出了一款3D IC，該公司將一只存儲(chǔ)芯片堆疊在硅片芯上，兩者間采用了(垂直的)TSV(硅通孔)金屬化孔，在芯片的頂部和底部都建立了連接。TSV技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)一種廣泛的I/O存儲(chǔ)接口，較其它方案的功率降低多達(dá)75%，因?yàn)槠浠ミB與I/O電路的負(fù)載電容較小。
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Xilinx公司也在自己新的2.5D SSI(堆疊硅互連)FPGA中采用了這種方法，其主要是在一個(gè)無(wú)源硅中介層上堆疊這些片芯，從而能夠在FPGA之間做出1萬(wàn)多個(gè)互連。SSI較其它方案在每瓦I/O帶寬性能上提高了兩個(gè)以上數(shù)量級(jí)，這也再次說(shuō)明了2.5D與3D在功耗與性能方面的差異。
上海宛暢實(shí)業(yè)有限公司是一家自動(dòng)化設(shè)備及工業(yè)零部件的專(zhuān)業(yè)供應(yīng)商.公司成立于2012年,專(zhuān)注于為,化工,電力,鋼鐵,制藥,環(huán)保等領(lǐng)域終端用戶(hù)提供工程配套自動(dòng)化設(shè)備及工控備件.
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