產(chǎn)品信息資料
| FET 類型 | P 溝道 |
|---|---|
| 技術(shù) | MOSFET（金屬氧化物） |
| 漏源電壓（Vdss） | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） | 1A（Ta） |
| 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V |
| 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） | 1.15V @ 250μA |
| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） | 3.9nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） | 280pF @ 10V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 290mW（Ta），1.67W（Tc） |
| 不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） | 200 毫歐 @ 1A，4.5V |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 供應(yīng)商器件封裝 | SOT-323-3 |
| 封裝/外殼 | SC-70，SOT-323 |
優(yōu)勢(shì)貨源：
L6472HTR
L6375S
PMF170XP
PI3EQX6741STZDEX
L6230PD
L6235Q
L6208QTR
L6227QTR
L6228N
L5983TR
A5973D
A7985A
A7986A
HVLED807PFTR
L2293Q
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