Reverse Conducting Integrated
Gate-Commutated ThyristorPreliminary
VDRM = 4500 V
ITGQM = 3600 A· AC or DC supply voltage
所有日立能源 IGCT（集成門極換向晶閘管）都是壓接封裝器件。以大力將 GTO 壓接到散熱器上，而散熱器也當(dāng)作電源端子的電觸點(diǎn)。
IGCT 的開(kāi)/關(guān)控制單元是組件不可分割的一個(gè)元件。它只需要外部電源，通過(guò)光纖連接便可方便訪問(wèn)其控制功能。設(shè)備的控制功耗通常在 10 - 100 W 之間。
IGCT 針對(duì)低傳導(dǎo)損耗而優(yōu)化。其典型的開(kāi)/關(guān)頻率在 500 赫茲范圍內(nèi)。然而，與 GTO 相比，上部開(kāi)關(guān)頻率僅受到操作熱損耗和系統(tǒng)散熱能力的限制。此功能結(jié)合設(shè)備在開(kāi)/關(guān)狀態(tài)之間的快速轉(zhuǎn)換，能夠?qū)崿F(xiàn)開(kāi)關(guān)頻率高達(dá) 40 kHz 的短開(kāi)/關(guān)脈沖串。
IGCT 需要導(dǎo)通保護(hù)網(wǎng)絡(luò)（本質(zhì)上是電感器）來(lái)限制電流上升速率。但是，與 GTO 相比，關(guān)斷保護(hù)網(wǎng)絡(luò)是可選的。若以略低的關(guān)斷電流能力為代價(jià)，則可以忽略不計(jì)。