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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
AP50N03 大功率MOS TO252 N道溝場(chǎng)效應(yīng)MOS管 MOS價(jià)格
AP50N03 大功率MOS TO252 N道溝場(chǎng)效應(yīng)MOS管 MOS價(jià)格
產(chǎn)品價(jià)格：￥0.01
上架日期：2023-06-06 14:49:27
產(chǎn)地：深圳
發(fā)貨地：深圳
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詳細(xì)說(shuō)明

    Super Low Gate Charge

     100% EAS Guaranteed

     Green Device Available

     Excellent CdV/dt effect decline

     Advanced high cell density

     TrenchtechnologyProduct SummaryBVDSSRDSONID30V7.6mΩ50ADebionThe AP50N03 is the high cell density trenchedN-ch MOSFETs, which provide excellent RDSONand gate charge for most of the synchronous buckconverter applications.The meet the RoHS and GreenProduct requirement, 100% EAS guaranteed withfull function reliability approved.

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