HC-SFS152BG1(H) 1/6國內(nèi)辦事處
HC-SFS152BG1(H) 1/6國內(nèi)辦事處
第5代A系列IGBT模塊
性能特點
采用CSTBTTM硅片技術(shù)
飽和壓、短路承受能力強(qiáng)、驅(qū)動功率小
比同等級其他溝槽型IGBT電流輸出能力高10%，在相同輸出電流時ΔT(j-f)低15%
成本的封裝
內(nèi)置導(dǎo)熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小
模塊內(nèi)部寄生電感小
功率循環(huán)能力顯著
應(yīng)用領(lǐng)域
適合中、低端變頻器產(chǎn)品設(shè)計
第5代NF系列IGBT模塊
性能特點
采用低損耗CSTBTTM硅片技術(shù)
LPT結(jié)構(gòu)用于1200V模塊，更加適合于并聯(lián)使用
額定電流定義比市場上同類產(chǎn)品高一個等級
外形尺寸與H系列IGBT完全兼容
內(nèi)置導(dǎo)熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小
通過底板和基板間焊錫的厚度大大了溫度循環(huán)能力ΔTc
高功率循環(huán)能力
應(yīng)用領(lǐng)域
通用變頻器，伺服驅(qū)動器，UPS，特種電源等
208A11、101A04、TLD378A06、352A70、1630-06C、GK291D20、4106-03A、117B39、623C00、1502A02FG1KPSIS、2308-01A、625B32、2303-01A、740B02、357C73、1221-01A、3713B1150G、109B02、353B16、355B33、117B44、422E54、5308D-03A、138A、2560、1502B02GL15V50GPSI/20、204C、641B02、086C03、483C15、601A12、208A45、3711B1150G、109C11、393B05、355B34、138A10、422E55、5308D-04A、138A01、426B31、1502B02GL400BARG、205C、641A02、086C04、483C30、601A21、208C01、3713B1110G、109C12、350D02、356A01、111A26、422E65/A、5309C-01A、138A02、2520、1502B02HG100PSIG、206C、641B10、086D05、483C50、601A22、208A35208A13、101A06、356A15、352A72、1631-06C、377A12、4107-02A、117B42、612A01、1502A02FG2KPSIG、2308-03A、625B61、2508-03A、RH240A02、3701D1FB3G、1303-02A
第5代NX系列IGBT模塊
性能特點
采用化CSTBTTM硅片技術(shù)
有CIB、7單元、2單元和1單元四種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
內(nèi)部集成NTC測溫電阻
全系列共享同一封裝平臺
耐功率循環(huán)和熱循環(huán)能力強(qiáng)
具有競爭力的性價比
有條件接受客戶定制
應(yīng)用領(lǐng)域
通用變頻器等交流電動機(jī)驅(qū)動應(yīng)用
第5代NFH系列IGBT模塊
性能特點
采用CSTBTTM硅片技術(shù)，實現(xiàn)開關(guān)速度控制的化
飽和壓于業(yè)界同類產(chǎn)品
續(xù)流二極管：超高速恢復(fù)特性，極低拖尾電流
開關(guān)可達(dá)60kHz
模塊內(nèi)部寄生電感低
應(yīng)用領(lǐng)域:
變頻焊接設(shè)備等中高頻開關(guān)應(yīng)用
第5代NFM系列IGBT模塊
性能特點
采用CSTBTTM硅片技術(shù)，實現(xiàn)開關(guān)速度控制的化
飽和壓于業(yè)界同類產(chǎn)品
續(xù)流二極管：超高速恢復(fù)特性，極低拖尾電流
開關(guān)可達(dá)30kHz
模塊內(nèi)部寄生電感低
應(yīng)用領(lǐng)域
變頻焊接設(shè)備等中高頻開關(guān)應(yīng)用
3711B1110G、111A21、352B10、356A02、137B22A、422E66/A、5309C-02A、138A05、2570、1502B03EZ500PSIG、207C、641A10、086D20、484B02、601A31、208B01、3711B1130G、111A22、TLD356A02、356A12、117B67、427A03、5310C-01A、138A06、376B02、1502B03FJ100PSIG、208A11、641B11、086D50、484B06、601A32、208C02
第5代MPD系列IGBT模塊
性能特點
的CSTBTTM硅片技術(shù)帶來：
杰出的短路魯棒性 - 了柵極電容 - 低VCE(sat) Vs. Eoff
新的緊湊型封裝
良好的匹配冷卻
多孔型端子使得阻抗更低，實現(xiàn)更可靠的長期電氣連接
端子孔徑與安裝定位孔徑一致
不同高度的DC端子――直接連接層壓式母線棒
應(yīng)用領(lǐng)域
大電機(jī)驅(qū)動，風(fēng)力發(fā)電，大功率UPS等
第6/6.1代NX系列IGBT模塊
性能特點
采用第6代IGBT硅片技術(shù)，損耗低
二極管采用第6代LPT硅片技術(shù)，正向?qū)▔?br />
硅片結(jié)溫可高達(dá)175°C
硅片運(yùn)行溫度可達(dá)150°C
內(nèi)部集成NTC測溫電阻
全系列共享同一封裝平臺
有條件接受客戶定制
HC-SFS152BG1(H) 1/6國內(nèi)辦事處既注重緊密結(jié)合業(yè)升級需求，優(yōu)先發(fā)展3C、焊接、搬運(yùn)、等先進(jìn)適用的工業(yè)機(jī)器人，又注重發(fā)展智能代步、安防監(jiān)控、家政等機(jī)器人， 地利，廣義上指的整體科技產(chǎn)業(yè)已做好，狹義上則是企業(yè)做好。 但是對于單個企業(yè)來說，行業(yè)的蓬展并不意味著可以坐等機(jī)遇到來，開拓創(chuàng)新能力才是把握機(jī)會能力的根本體現(xiàn)， 推進(jìn)智能應(yīng)勇于試錯該人士表示，推進(jìn)智能是一項復(fù)雜而龐大的工程，需要、試錯，難以一蹴而就， 以設(shè)計為中心的數(shù)字化技術(shù)、以控制為中心的數(shù)字化技術(shù)、以為中心的數(shù)字化技術(shù)在農(nóng)機(jī)企業(yè)逐步應(yīng)用， 半導(dǎo)體照明LED行業(yè)穩(wěn)步發(fā)展近年來，隨著能源危機(jī)的加劇、政策的支持、居民環(huán)保意識的增強(qiáng)以及LED技術(shù)的不斷進(jìn)步和成本的逐步， 據(jù)悉，華為正致力于構(gòu)建全新的物聯(lián)網(wǎng)生態(tài)，這將改變的存在和人類的生活。 2016年5月，印發(fā)了《關(guān)于深化業(yè)與互聯(lián)網(wǎng)融合發(fā)展的指導(dǎo)意見》，著力培育產(chǎn)業(yè)發(fā)展新生態(tài)，打造經(jīng)濟(jì)發(fā)展新引擎， 目前在舉辦的多個展會中，其中5個是全球型的貿(mào)易展覽，另外7個屬亞洲規(guī)模。 互聯(lián)網(wǎng)人生活的方方面面，積累了龐大全的數(shù)據(jù)，和人工智能相結(jié)合，數(shù)據(jù)有效地被挖掘，才能創(chuàng)造出更大的用戶價值和商業(yè)價值，
