TDK貼片電容主要是清除由芯片自身產(chǎn)生的各種高頻信號(hào)對(duì)其他芯片的串?dāng)_，從而讓各個(gè)芯片
模塊能夠不受干擾的正常工作。在高頻電子振蕩線路中，貼片電容與晶體振蕩器等元件一
起組成振蕩電路，給各種電路提供所需的時(shí)鐘頻率。
TDK貼片電容有貼片式陶瓷電容、貼片式鉭電容、貼片式鋁電解電容。貼片式陶瓷電容無極性，
容量也很小，一般可以耐很高的溫度和電壓，常用于高頻濾波。陶瓷電容看起來有點(diǎn)像貼
片電阻，但貼片電容上沒有代表容量大小的數(shù)字。
TDK貼片電容的特點(diǎn)是壽命長(zhǎng)，耐高溫、準(zhǔn)確度高、濾高頻改波性能極好，不過容量較小、價(jià)
格也比鋁電容貴，而且耐電壓及電流能力相對(duì)較弱。它被應(yīng)用于小容量的低頻濾波電路中。
TDK貼片電容與陶瓷電容相比，其表面均有電容容量和耐壓標(biāo)識(shí)，其表面顏色通常有黃色和黑色兩種。
TDK貼片式鋁電解電容擁有比貼片式鉭電容更大的容量，其多見于顯卡上，容量在300μF~1500μF之間，
其主要是滿足電流低頻的濾波和穩(wěn)壓作用。
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額定電壓的選擇 ? ?電容器的工作電壓必須低于額定電壓，不得超過額定電壓使用。
例如工作電壓為12V時(shí)可選額定電壓16～25V；工作電壓為5V時(shí)可選6～10V；工作電壓為
3.3V時(shí)，可選4～6V。這要看工作電壓的穩(wěn)定度及紋波電壓大小而定。要注意的是電容量
與耐壓有關(guān)。例如片狀鉭電容耐壓4～50V，0.1～4.7μF小容量有額定電壓為50V的，若
10μF以上要高于25V就少見，若47μF則一般僅16V為多，要25V也較難買到。所以在設(shè)計(jì)
上，在電容器容量大于47μF時(shí)，不要選擇額定電壓過高于工作電壓，一則市場(chǎng)上難買到
（訂貨周期長(zhǎng)），二則額定電壓高的電容器尺寸大、價(jià)位高（25V的要比50V的便宜20%），
會(huì)提高產(chǎn)品成本。在設(shè)計(jì)選用時(shí)務(wù)必要根據(jù)工作電壓來選擇額定電壓。
合理地選擇電容器精度及材料類別 ? ?市售的片狀電容器的精度在103以下的其
精度可達(dá)J級(jí)（±5%）；在103以上則J級(jí)較少、以K級(jí)（±10%）居多；在104以上則以M級(jí)
（±20%）為主。例如，在諧振回路中，為保證性能穩(wěn)定，要采用C0G Ⅰ類材料及J級(jí)片狀
多層陶瓷電容器，如在IC的電源正端往往要連接一個(gè)0.1μF的旁路電容，則可選Ⅲ類材料、
M級(jí)精度的片狀多層陶瓷電容器。這樣既能保證產(chǎn)品精度要求，又能降低產(chǎn)品成本。能直接
從市場(chǎng)上買到的電容器來設(shè)計(jì)、試制、對(duì)加快設(shè)計(jì)、縮短生產(chǎn)周期是極有利的，在經(jīng)濟(jì)上也
是有利（電容器一類元件的最低訂貨量相當(dāng)大、并且訂貨周期要1～3個(gè)月，往往使設(shè)計(jì)者難
以接受。設(shè)計(jì)者要了解市場(chǎng)的供貨情況，避免“閉門造車”。
市場(chǎng)上尺寸代碼為0805的片狀電容器的容量規(guī)格（系列）最齊全，而0603的一些偏
僻的容量可能會(huì)缺貨。在生產(chǎn)批量不太大時(shí)，為防止市場(chǎng)缺貨而影響生產(chǎn)，可以將焊盤稍作
延伸，使它能適用于0603及0805，可避免造成缺件而停產(chǎn)的問題。
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片狀多層陶瓷電容器都是卷裝的，型號(hào)在帶盤上，而電容器上無任何標(biāo)志。雖然可
以用測(cè)量方法知道其容量，但很難區(qū)別材料類別的精度等級(jí)，在使用過程中（特別是手工裝
配）務(wù)必小心。
敞開式片狀微調(diào)電容器不能用波峰焊，而封閉式片狀微調(diào)電容器可用波峰焊。
C0G (EIA code) 或者叫 NP0 (產(chǎn)業(yè)習(xí)慣稱呼) 所用的材料一般收到溫度影響比較小
（Negative-Positive zero），溫度系數(shù)在0±30ppm/℃以內(nèi)，電容值隨頻率和電壓變
化小于±0.05%。正因?yàn)镃0G/NP0 所用的電介質(zhì)lose比較小,所以呢，多會(huì)用在濾波器，
時(shí)鐘電路，還有晶振匹配電路中；高頻特性較好，最高可用到G bit級(jí)的電路中。但是這
類電容容值比有限，一般<10nF.
其它常用的一類電介質(zhì)材料：P350, N1000/M3K.
X7R是在工業(yè)中被廣泛采用的一種溫度穩(wěn)定型電容器，具有中等介電常數(shù)，電氣性能較
穩(wěn)定，在溫度、電壓等改變時(shí)，性能變化并不顯著，適用于隔直、耦合、旁路與容量穩(wěn)定
性要求不太高的鑒頻電路。在使用溫度（-55℃~+125℃）范圍內(nèi)容值變化率在±15%以內(nèi)，
老化率為10年1%。X7R是一種強(qiáng)電介質(zhì)，所以這種電容一般在100pF~2.2uF。
Y5V這種材料具有較高的介電常數(shù)，常用于生產(chǎn)比容較大的大容量電容器產(chǎn)品，可以用小
的尺寸做大容量的電容，但其容量穩(wěn)定性較X7R差，容量、損耗對(duì)溫度，電壓等測(cè)試條件較
敏感。Y5V是一種普通用途的電容器，在使用溫度（-30~+85℃）范圍內(nèi)容值變化率較大，
+22/-82%以內(nèi)，老化率為10年5%。容值范圍 1000pF~10μF。
