特性
8 層硬件堆棧x11bit
2T 或4T 指令周期
2Kx14b 程序存儲(chǔ)空間（16bytes/page）
256x8b 數(shù)據(jù)EEPROM（16bytes/page）
數(shù)據(jù)EEPROM 在應(yīng)用編程
128x8b SRAM
1 x 帶8 位預(yù)分頻的定時(shí)器0
1 x 帶8 位預(yù)分頻的定時(shí)器2
帶7 位預(yù)分頻的WDT，溢出頻率約為16ms~2048ms
上電延遲計(jì)數(shù)器PWRT
低功耗模式SLEEP
多個(gè)喚醒源，INT、端口變化中斷、WDT、數(shù)據(jù)EEPROM 寫完成，等等
內(nèi)置高速16M RC 振蕩器
內(nèi)置低速32K RC 振蕩器
支持外部晶振16M 或32K，以及外部時(shí)鐘模式
i. 時(shí)鐘缺失檢測(cè)
ii. 雙速啟動(dòng)模式（晶體或外部時(shí)鐘模式下）
內(nèi)置2 個(gè)高速高精度比較器
i. 可編程的片上參考電壓
ii. 比較結(jié)果可直接輸出
最多16 個(gè)通用IO，18 根芯片管腳
7 個(gè)IO 帶獨(dú)立上拉控制
端口變化中斷，RA0~RA7
支持在系統(tǒng)編程ICSP
支持在線調(diào)試
程序空間保護(hù)
工作電壓范圍：1.8V~ 5.5V
最大時(shí)鐘工作頻率：16MHz
封裝類型：SOP14，SOP18
