自主精簡指令集
8 層硬件堆棧 x11bit
2T 或 4T 指令周期
2Kx14b 程序存儲空間
程序存儲空間的 checksum 自動校驗
可配置，User Option
256x8b 數(shù)據(jù) EEPROM
數(shù)據(jù) EEPROM 在應(yīng)用編程
高耐用性 EEPROM
程序和數(shù)據(jù) EEPROM 可經(jīng)受 100 萬次寫操作
EEPROM 保存時間>40 年
128x8b SRAM
1 x 帶 8 位預(yù)分頻的定時器 0
1x 帶 3 位預(yù)分頻的 16 位定時器 1
1 x 帶 8 位預(yù)分頻的定時器 2
增強性捕捉、比較和可編程“死區(qū)”時間的 PWM 模塊
時鐘源可選：系統(tǒng)時鐘或者是內(nèi)部 32MHz 時鐘
單次脈沖模式
最多 3 對帶“死區(qū)”的 PWM 輸出
3x12bit Timer，3x12bit PWM，支持 BUZZER 模式
帶 7 位預(yù)分頻的WDT，溢出頻率約為 16ms~2048ms
上電延遲計數(shù)器 PWRT
低功耗模式 SLEEP
多個喚醒源，INT、端口變化中斷、WDT 和數(shù)據(jù) EEPROM 寫完成，等等
內(nèi)置高速 16M RC 振蕩器
內(nèi)置低速 32K RC 振蕩器
支持外部晶振 16M 或 32K，以及外部時鐘模式
自主精簡指令集
8 層硬件堆棧 x11bit
2T 或 4T 指令周期
2Kx14b 程序存儲空間
程序存儲空間的 checksum 自動校驗
可配置，User Option
256x8b 數(shù)據(jù) EEPROM
數(shù)據(jù) EEPROM 在應(yīng)用編程
高耐用性 EEPROM
程序和數(shù)據(jù) EEPROM 可經(jīng)受 100 萬次寫操作
EEPROM 保存時間>40 年
128x8b SRAM
1 x 帶 8 位預(yù)分頻的定時器 0
1x 帶 3 位預(yù)分頻的 16 位定時器 1
1 x 帶 8 位預(yù)分頻的定時器 2
增強性捕捉、比較和可編程“死區(qū)”時間的 PWM 模塊
時鐘源可選：系統(tǒng)時鐘或者是內(nèi)部 32MHz 時鐘
單次脈沖模式
最多 3 對帶“死區(qū)”的 PWM 輸出
3x12bit Timer，3x12bit PWM，支持 BUZZER 模式
帶 7 位預(yù)分頻的WDT，溢出頻率約為 16ms~2048ms
上電延遲計數(shù)器 PWRT
低功耗模式 SLEEP
多個喚醒源，INT、端口變化中斷、WDT 和數(shù)據(jù) EEPROM 寫完成，等等
內(nèi)置高速 16M RC 振蕩器
內(nèi)置低速 32K RC 振蕩器
支持外部晶振 16M 或 32K，以及外部時鐘模式
時鐘缺失檢測
雙速啟動模式
內(nèi)置 10 位的 ADC，支持 8 個通道（7 個外部通道 + 1 個內(nèi)部 1/4VDD 通道）
參考電壓可選：外部 Vref，VDD，內(nèi)部 2V/3V
內(nèi)置 2 個高速高精度比較器
可編程的參考電壓
比較結(jié)果可直接輸出
低電壓復位 LVR：2.0V/2.2V/2.8V
低電壓檢測 LVD：2.0V2.4V/2.8V/3.0V/3.6V/4.2V
兩路穩(wěn)壓輸出：
每路分別可輸出多達 32 檔電壓
最多 14 個通用 IO，16 根芯片管腳
14 個 IO 帶獨立上拉控制
4 個 IO 帶獨立下拉控制
端口變化中斷，RA0~RA7
支持在系統(tǒng)編程 ICSP
支持在線調(diào)試，3 個硬件斷點
程序空間保護
工作電壓范圍：2.0V~ 5.5V
工作溫度：-40~85C
最大時鐘工作頻率：16MHz
FSYS=8MHz: 2.0V~5.5V
FSYS=16MHz: 2.7V~5.5V
封裝類型：SOP8,MSOP10,SOP14，SOP16
