R5為全橋高壓逆變MOS管源極的高壓電流取樣電阻，我們可以這么理解，高壓電流的大小基本上決定了輸出功率的大小，所以我們用R5檢測(cè)高壓電流的大小。圖中LM339的兩個(gè)比較器單元我們分別用來做過流和短路檢測(cè)。先看由IC3D及其外圍元件組成的過流保護(hù)電路，IC3D的8腳設(shè)定一個(gè)基準(zhǔn)電壓，由R33、VR4、R56、R54分壓決定其值U8=5* （R33+VR4）/（R33+VR4+R56+R54）。當(dāng)R5上的電壓經(jīng)過R24、C17延時(shí)后超過8腳電壓14腳輸出高電平通過D7隔離到IC3B 的5腳。4腳兼做電池欠壓保護(hù)，正常時(shí)5腳電壓低于4腳，過流后5腳電壓高于4腳，2腳輸出高電平控制后級(jí)的高壓MOS關(guān)斷，當(dāng)然也可以控制前級(jí)的MOS一起關(guān)斷。D8的作用是過流短路或電池欠壓后正反饋鎖定2腳為高電平。短路保護(hù)要根據(jù)MOS管的ID，安全區(qū)域和回路雜散電阻等參數(shù)設(shè)計(jì)。一般來說電流在ID以內(nèi)，動(dòng)作時(shí)間在30微秒以內(nèi)是比較安全的。再看IC3C組成的短路保護(hù)電路，原理和過流保護(hù)差不多，只是延時(shí)的時(shí)間比較短，C19的容量很小，加上LM339的速度很快，可以實(shí)現(xiàn)太陽能逆變器短路保護(hù)在幾個(gè)微秒內(nèi)關(guān)斷，有效地保護(hù)了高壓MOS管的安全。
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