銷(xiāo)售IPU60R3K4CE和IPD60R3K4CE同系列MOS管
【產(chǎn)品信息】
FET 類(lèi)型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：650V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：2.6A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 40μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值）：4.6nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：93pF @ 100V
Vgs（最大值）：±20V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：29W（Tc）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：3.4 歐姆 @ 500mA，10V
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO252-3
封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn) + 接片），SC-63
【聯(lián)系方式】【同系列半導(dǎo)體產(chǎn)品】
IPA60R800CE
IPD50R950CE
IPSA70R600CE
IPS70R1K4CE
IPA50R650CE
IPU60R1K0CE
IPU80R1K0CE
IPU50R950CE
IPS70R950CE
IPS65R1K5CE
IPN50R3K0CE
IPD70R2K0CE
IPU50R2K0CE
IPS60R2K1CE
IPS60R1K0CE
IPS70R2K0CE
IPSA70R950CE
IPS60R1K5CE
IPS60R3K4CE
IPU50R3K0CE
IPS65R650CE
IPSA70R2K0CE
IPU60R3K4CE
IPD60R3K4CE
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