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RClamp0522P?是一種低電容TVS（瞬態(tài)電壓抑制器）陣列，設計用于在連接到高速數(shù)據(jù)線時保護敏感半導體元件免受電應力過大的影響。RClamp0522P?的低電容（0.35pF典型I/O到I/O）確保了在tc 3.5GHz以上的數(shù)據(jù)速率下可以忽略信號衰減。固態(tài)結構確保快速夾緊ESD（靜電放電）、EFT（電快速瞬變）或CDE（電纜放電事件）產生的電過應力瞬變。

■除了低電容外，RClamp0522P?浪涌電流能力電壓箝位性能都比較適合。浪涌電流能力（8x20μs）的額定值為7A；大約比行業(yè)標準高33。此外，1.9的緊箝位比（VCVRWM）（通常為1A）確保了有害瞬態(tài)被快速箝位，并接近電路的正常工作電壓。超緊夾緊比比行業(yè)標準高30，確保了對敏感集成電路的靜電浪涌保護。

RClamp0522P?設計用于保護多達兩條數(shù)據(jù)線。它封裝在符合RoHS/WEEE標準的6引腳DFN中，具有0.55mm（標稱）的極低封裝外形。低電容、高浪涌能力、緊箝位比和低封裝外形的組合使RClamp0522P?成為當今ESD敏感、空間受限應用的理想選擇。

●特征

■ESD保護符合以下要求：

▲IEC 61000-4-2，±18kV觸點，±30kV空氣

▲IEC 61000-4-5（閃電）7A（8/20μs）

▲IEC 61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）

■緊密的夾緊比V-C/V-RWM確保了保護的效果

■高反向浪涌電流，lPP，容量

■低怠速電流將待機功耗降低

■低調的DFN封裝

■為高速線路優(yōu)化的封裝設計

■貫穿設計

■保護兩條l/O線

■低電容：0.35pF典型值（I/O至I/O）

■低工作電壓：5V

■固態(tài)硅雪崩技術

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