| 產品參數 | |||
|---|---|---|---|
| 型號 | BSM100GB120DN2K | ||
| 封裝 | 標準封裝 | ||
| 批號 | 22 | ||
| 數量 | 300 | ||
| 制造商 | Infineon | ||
| 產品種類 | IGBT模塊 | ||
| RoHS | N | ||
| 配置 | HalfBridge | ||
| 集電極—射極飽和電壓 | 2.5V | ||
| 柵極—射極漏泄電流 | 400nA | ||
| Pd-功率耗散 | 700W | ||
| 封裝/箱體 | HalfBridge1 | ||
| 最小工作溫度 | -40C | ||
| 最大工作溫度 | 150C | ||
| 高度 | 30.5mm | ||
| 長度 | 94mm | ||
| 寬度 | 34mm | ||
| 安裝風格 | ChassisMount | ||
| 柵極/發(fā)射極最大電壓 | 20V | ||
| 品牌 | Infineon | ||
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