產(chǎn)品參數(shù) | |||
---|---|---|---|
品牌 | Infineon | ||
數(shù)量 | 12000 | ||
制造商 | Infineon | ||
產(chǎn)品種類 | MOSFET | ||
RoHS | 是 | ||
安裝風格 | SMD/SMT | ||
封裝 / 箱體 | DirectFET-L8 | ||
晶體管極性 | N-Channel | ||
通道數(shù)量 | 1 Channel | ||
Vds-漏源極擊穿電壓 | 40 V | ||
Id-連續(xù)漏極電流 | 270 A | ||
Rds On-漏源導通電阻 | 700 Ohms | ||
Vgs - 柵極-源極電壓 | 20 V | ||
Qg-柵極電荷 | 220 nC | ||
最小工作溫度 | - 55 C | ||
最大工作溫度 | 175 C | ||
Pd-功率耗散 | 125 W | ||
通道模式 | Enhancement | ||
配置 | Single | ||
高度 | 0.74 mm | ||
長度 | 9.15 mm | ||
晶體管類型 | 1 N-Channel | ||
寬度 | 7.1 mm | ||
下降時間 | 42 ns | ||
上升時間 | 71 ns | ||
典型關(guān)閉延遲時間 | 56 ns | ||
典型接通延遲時間 | 21 ns | ||
零件號別名 | IRF7739L2TRPBF SP001559996 | ||
可售賣地 | 全國 | ||
型號 | IRF7739L2TRPBF |