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產(chǎn)品參數(shù)
品牌	富士
系列	IGBT系列
封裝	標(biāo)準(zhǔn)封裝
批號	new
可控硅類型	硅(si)
種類	化合物半導(dǎo)體
數(shù)量	9999
可售賣地	全國

IGBT硅片的結(jié)構(gòu)與功率MOSFET?的結(jié)構(gòu)十分相似，主要差異是IGBT增加了P ?基片和一個N ?緩沖層(NPT-非穿通-IGBT技術(shù)沒有增加這個部分)。如等效電路圖所示(圖1)，其中一個MOSFET驅(qū)動兩個雙極器件?；膽?yīng)用在管體的P 和?N ?區(qū)之間創(chuàng)建了一個J1結(jié)。?當(dāng)正柵偏壓使柵極下面反演P基區(qū)時，一個N溝道形成，同時出現(xiàn)一個電子流，并完全按照功率?MOSFET的方式產(chǎn)生一股電流。如果這個電子流產(chǎn)生的電壓在0.7V范圍內(nèi)，那么，J1將處于正向偏壓，一些空穴注入N-區(qū)內(nèi)，并調(diào)整陰陽極之間的電阻率，這種方式降低了功率導(dǎo)通的總損耗，并啟動了第二個電荷流。后的結(jié)果是，在半導(dǎo)體層次內(nèi)臨時出現(xiàn)兩種不同的電流拓?fù)洌阂粋€電子流(MOSFET?電流)；?一個空穴電流(雙極)。

器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極（即門極G）。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在C、E兩極之間的P型區(qū)（包括P 和P-區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannel?region）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P 區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Drain?injector），它是IGBT特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極（即集電極C）

動態(tài)特性又稱開關(guān)特性，IGBT的開關(guān)特性分為兩大部分：一是開關(guān)速度，主要指標(biāo)是開關(guān)過程中各部分時間；另一個是開關(guān)過程中的損耗。
IGBT?的開關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。IGBT?處于導(dǎo)通態(tài)時，由于它的PNP?晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其B?值極低。盡管等效電路為達(dá)林頓結(jié)構(gòu)，但流過MOSFET?的電流成為IGBT?總電流的主要部分。此時，通態(tài)電壓Uds(on)?可用下式表示
Uds(on)?=?Uj1? ?Udr? ?IdRoh
式中Uj1?——?JI?結(jié)的正向電壓，其值為0.7?～1V?；Udr?——擴(kuò)展電阻Rdr?上的壓降；Roh?——溝道電阻

IGBT?的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性。
IGBT?的伏安特性是指以柵源電壓Ugs?為參變量時，漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs?的控制，Ugs?越高，?Id?越大。它與GTR?的輸出特性相似．也可分為飽和區(qū)1?、放大區(qū)2?和擊穿特性3?部分。在截止?fàn)顟B(tài)下的IGBT?，正向電壓由J2?結(jié)承擔(dān)，反向電壓由J1結(jié)承擔(dān)。如果無N 緩沖區(qū)，則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平，加入N 緩沖區(qū)后，反向關(guān)斷電壓只能達(dá)到幾十伏水平，因此限制了IGBT?的某些應(yīng)用范圍。