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產(chǎn)品參數(shù)
品牌	FUJI
系列	IGBT系列
封裝	標準封裝
批號	new
可控硅類型	硅(si)
種類	化合物半導體
數(shù)量	9999
售賣范圍	全國
可售賣地	全國
型號	7MBR50VB120-50

IGBT的觸發(fā)和關(guān)斷要求給其柵極和基極之間加上正向電壓和負向電壓，柵極電壓可由不同的驅(qū)動電路產(chǎn)生。當選擇這些驅(qū)動電路時，必須基于以下的參數(shù)來進行：器件關(guān)斷偏置的要求、柵極電荷的要求、耐固性要求和電源的情況。因為IGBT柵極-?發(fā)射極阻抗大，故可使用MOSFET驅(qū)動技術(shù)進行觸發(fā)，不過由于IGBT的輸入電容較MOSFET為大，故IGBT的關(guān)斷偏壓應該比許多MOSFET驅(qū)動電路提供的偏壓更高。

IGBT?在開通過程中，大部分時間是作為MOSFET?來運行的，只是在漏源電壓Uds?下降過程后期，?PNP?晶體管由放大區(qū)至飽和，又增加了一段延遲時間。td(on)?為開通延遲時間，tri?為電流上升時間。實際應用中常給出的漏極電流開通時間ton?即為td?(on)?tri?之和，漏源電壓的下降時間由tfe1?和tfe2?組成。

IGBT(Insulated?Gate?Bipolar?Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,?兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領域。

正式商用的IGBT器件的電壓和電流容量還很有限，遠遠不能滿足電力電子應用技術(shù)發(fā)展的需求；高壓領域的許多應用中，要求器件的電壓等級達到10KV以上，只能通過IGBT高壓串聯(lián)等技術(shù)來實現(xiàn)高壓應用。國外的一些廠家如瑞士ABB公司采用軟穿通原則研制出了8KV的IGBT器件，德國的EUPEC生產(chǎn)的6500V/600A高壓大功率IGBT器件已經(jīng)獲得實際應用，日本東芝也已涉足該領域。與此同時，各大半導體生產(chǎn)廠商不斷開發(fā)IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠性、低成本技術(shù)，主要采用1um以下制作工藝，研制開發(fā)取得一些新進展。2013年9月12日?我國自主研發(fā)的高壓大功率3300V/50A?IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）芯片及由此芯片封裝的大功率1200A/3300V?IGBT模塊通過，中國自此有了完全自主的IGBT“中國芯”。