半導體的能帶結構通常是由一個充滿電子的低能價帶和一個空的 價帶構成,它們之間的區(qū)域稱為禁帶。禁帶是一個不連續(xù)區(qū)域。當能量大于或等于半導體帶隙能的光波輻射此半導體催化劑時,處于價帶的電子(e)就會被激發(fā)到導帶上,價帶生成空穴(h+),從而在半導體表面產生具有高度活性的空穴/電子對。
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