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某半導(dǎo)體廠商為了提高紅外器件 ZnS 薄膜厚度均勻性, 采用  KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380  輔助磁控濺射沉積設(shè)備鍍制紅外器件 ZnS 薄膜, 并采用動態(tài)沉積的方法--樣品臺離心旋轉(zhuǎn)的方式, 補(bǔ)償或改善圓形磁控靶在正對的基片上沿徑向的濺射沉積不均勻分布.

KRI 射頻離子源 RFICP380 技術(shù)參數(shù):

紅外器件金屬膜需要高均勻性的原因: 

紅外器件幾乎都要進(jìn)行表面鈍化和鍍制金屬膜, 在紅外焦平面和讀出電路的互連工藝中, 金屬膜的厚度均勻性對于互連工藝的可靠性起著至關(guān)重要的作用, 而在背照式紅外探測器的光接收面, 往往都要涂鍍一層或數(shù)層介質(zhì)膜, 以起到對器件進(jìn)行保護(hù)和對紅外輻射減反射的作用, 介質(zhì)膜的厚度均勻性同樣會影響探測器的濾光和接收帶寬

KRI 離子源的獨特功能實現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實現(xiàn)的.

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