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美國(guó)CELTRON MBB梁式稱重傳感器:
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美國(guó)CELTRON HBB梁式稱重傳感器
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美國(guó)CELTRON LCD輪輻式傳感器：
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美國(guó)CELTRON PSD輪輻式傳感器:
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粘貼型壓阻式力敏傳感器由四只半導(dǎo)體應(yīng)變片接成全橋形式，用粘合劑貼在彈性元件上構(gòu)成，它具有很高的應(yīng)變靈敏系數(shù)，一般為20～200，因此輸出高，輸出靈敏度一般為15～0mV/V，但易發(fā)生零點(diǎn)漂移與蠕變，同時(shí)還存在半導(dǎo)體應(yīng)變片和彈性元件熱膨脹所帶來(lái)的溫度漂移等影響。擴(kuò)散型壓阻式力敏傳感器大都采用單晶硅和半導(dǎo)體平面工藝制成的。一般以N 型硅為襯底，采用氧化、擴(kuò)散等工藝將硼原子沿給定的晶向擴(kuò)散到n 型硅襯底材料中，形成P 型擴(kuò)散層。
結(jié)果硼擴(kuò)散區(qū)便形成應(yīng)變電阻，并用襯底形成一個(gè)整體，當(dāng)它受到壓力作用時(shí)，應(yīng)變電阻發(fā)生變化，從而使輸出發(fā)生變化。
壓阻式力敏傳感器有靈敏度高、精度高、體積小、重量輕、工作頻率高、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、工作可靠、壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)。
電容式力敏傳感器近來(lái)得到了迅速發(fā)展，這種傳感器的核心部分是對(duì)壓力敏感的電容器。力敏電容器的電容量是由電極面積和兩個(gè)電極間的距離決定。
當(dāng)硅膜片兩邊存在壓力差時(shí)，硅膜片產(chǎn)生形變，電容器極板間的間距發(fā)生變化，從而引起電容量的變化。這樣，電容變化量與壓差有關(guān)，因此，就可作為力敏傳感器。它與壓阻式力敏傳感器相比，具有靈敏度高、溫度穩(wěn)定性好、壓力量程大等特點(diǎn)。表5-1 是按工作原理對(duì)力敏傳感器進(jìn)行分類，本章主要介紹半導(dǎo)體應(yīng)變片構(gòu)成的力敏傳感器的應(yīng)用技術(shù)。
