| 詳細(xì)參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | GE | 型號(hào) | IC693CHS399RR |
| 電壓 | IC693CHS399RR | 功率 | IC693CHS399RR |
| 產(chǎn)品認(rèn)證 | IC693CHS399RR | 加工定制 | 否 |
| 外形尺寸 | IC693CHS399RR | 重量 | IC693CHS399RR |
| 用途 | IC693CHS399RR | 產(chǎn)地 | IC693CHS399RR |
IC693CHS399RR
這是使用一個(gè)開(kāi)關(guān)創(chuàng)建兩種狀態(tài)的電路，一種狀態(tài)是將直流電源的（+）和（-）連接到電機(jī)，另一種狀態(tài)是斷開(kāi)電機(jī)與直流電源的（+）或（-）的連接。因其可以通過(guò)一個(gè)開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)而被稱(chēng)為“單開(kāi)關(guān)電路”。
當(dāng)開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)，電機(jī)根據(jù)極性在一個(gè)方向上旋轉(zhuǎn)；而當(dāng)開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)，電壓消失，電機(jī)空轉(zhuǎn)后停止。開(kāi)關(guān)的位置可以在①的（-）側(cè)，也可以在③的（+）側(cè)。也可以用半導(dǎo)體功率晶體管（圖中的MOSFET）代替開(kāi)關(guān)來(lái)構(gòu)成電子電路。如②所示設(shè)置在（-）側(cè)時(shí)，使用Nch MOSFET；如④所示設(shè)置在（+）側(cè)時(shí)，使用Pch MOSFET。
使用功率晶體管時(shí)有一些注意要點(diǎn)。在該電路中，在開(kāi)關(guān)剛剛OFF后，電機(jī)的電感量即試圖使電流繼續(xù)保持流動(dòng)，因此在①中，電機(jī)（-）側(cè)的電壓達(dá)到電源電壓以上；在③中，電機(jī)（+）側(cè)的電壓達(dá)到GND以下。該電壓超過(guò)電源電壓的幾倍。因此，在使用功率晶體管時(shí)，需要按照②和④電路圖所示，將功率二極管與電機(jī)并聯(lián)連接，并通過(guò)用二極管的正向電壓抑制（鉗制）產(chǎn)生的電壓來(lái)保護(hù)晶體管。
當(dāng)有該鉗位二極管時(shí)，在電機(jī)產(chǎn)生的電壓高于二極管正向電壓期間內(nèi)，電機(jī)產(chǎn)生的電流將流過(guò)該二極管，因此轉(zhuǎn)矩的作用方向與旋轉(zhuǎn)方向相反，成為短路制動(dòng)動(dòng)作，電機(jī)快速停止。
在該電路中也可以使用PWM驅(qū)動(dòng)；也可以通過(guò)檢測(cè)電機(jī)電流并負(fù)反饋，從而進(jìn)行電流驅(qū)動(dòng)。
