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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
1J85鐵鎳基高磁導(dǎo)率軟磁合金技術(shù)參數(shù)與應(yīng)用
產(chǎn)品價(jià)格：￥190.00元/千克
上架日期：2025-03-03
發(fā)貨地：上海 松江區(qū)
供應(yīng)數(shù)量：不限
最少起訂：1千克
瀏覽量：92
詳細(xì)說(shuō)明
    詳細(xì)參數(shù)
    品牌/廠(chǎng)家其他牌號(hào)1J85Permalloy80
    材質(zhì)鐵鎳基精密合金（Fe-Ni-Mo系）用途高頻變壓器磁芯精密磁傳感器電磁屏蔽元件
    主要成分鎳鐵鉬鎳含量80-82%
    雜質(zhì)含量0.1粒度ASTM5-7級(jí)
    抗拉強(qiáng)度≥550MPa（退火態(tài)）延伸率≥30%（退火態(tài)）
    硬度退火態(tài),120-150HV產(chǎn)地上海
    1J85合金概述
    1J85合金是一種高性能軟磁合金，屬于鐵鎳基精密合金系列（中國(guó)國(guó)標(biāo)GB/T 15018-1994）。其核心特性在于高初始磁導(dǎo)率、低矯頑力和優(yōu)異的磁穩(wěn)定性，廣泛應(yīng)用于精密儀器、電子設(shè)備及高頻電磁領(lǐng)域。該合金通過(guò)優(yōu)化成分和熱處理工藝，實(shí)現(xiàn)了磁性能與機(jī)械性能的平衡。

    化學(xué)成分與組織結(jié)構(gòu)
    主要成分（質(zhì)量百分比）：

    鎳（Ni）：80-82%

    鐵（Fe）：余量

    鉬（Mo）：4.8-5.2%

    微量添加元素：如錳（Mn）、硅（Si）、銅（Cu）等（總量<1%），用于細(xì)化晶粒和提升抗氧化性。

    晶體結(jié)構(gòu)：面心立方（FCC）奧氏體結(jié)構(gòu)，經(jīng)冷軋和退火后形成均勻納米晶組織，利于磁疇壁移動(dòng)。

    物理與磁性能
    關(guān)鍵性能參數(shù)
    參數(shù) 數(shù)值/特性
    初始磁導(dǎo)率（μ?） ≥30,000 H/m
    最大磁導(dǎo)率（μ?） ≥150,000 H/m
    飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度（B?） 0.75-0.85 T
    矯頑力（Hc） ≤1.2 A/m
    電阻率（ρ） 55-65 μΩ·cm
    居里溫度（T?） 約400℃
    性能優(yōu)勢(shì)
    低損耗：高頻下渦流損耗小，適合1 kHz~1 MHz應(yīng)用。

    溫度穩(wěn)定性：在-50℃~120℃范圍內(nèi)磁導(dǎo)率波動(dòng)<5%。

    抗老化性：長(zhǎng)期使用后磁性能衰減率低于3%。

    機(jī)械性能與加工工藝
    機(jī)械特性：

    抗拉強(qiáng)度：≥550 MPa

    延伸率：≥30%

    硬度（HV）：120-150

    加工要點(diǎn)：

    熔煉：真空感應(yīng)熔煉（VIM）確保成分均勻性。

    熱軋：1100~1150℃熱軋至2-3mm厚度。

    冷軋：多道次冷軋至0.02-0.5mm薄帶，總變形量>90%。

    退火：氫氣保護(hù)下1050~1150℃退火1-2小時(shí)，隨后以50℃/h緩冷消除內(nèi)應(yīng)力。

    應(yīng)用領(lǐng)域
    高頻電子器件：

    開(kāi)關(guān)電源變壓器磁芯

    共模電感（抗EMI設(shè)計(jì)）

    精密測(cè)量：

    高靈敏度磁傳感器（如霍爾元件）

    磁屏蔽室（衰減>60 dB@100 kHz）

    航空航天：

    衛(wèi)星通信系統(tǒng)的射頻環(huán)行器

    慣性導(dǎo)航系統(tǒng)的磁補(bǔ)償元件

    新能源領(lǐng)域：

    電動(dòng)汽車(chē)無(wú)線(xiàn)充電線(xiàn)圈

    光伏逆變器高頻變壓器

    對(duì)比與競(jìng)品分析
    合jinpai號(hào) 磁導(dǎo)率（μ?） 矯頑力（Hc） 成本 典型應(yīng)用場(chǎng)景
    1J85 150,000 1.2 A/m 中高 高頻精密器件
    1J79 100,000 2.5 A/m 低 中頻變壓器
    坡莫合金 200,000 0.8 A/m 極高 超精密磁頭
    非晶合金 50,000 0.5 A/m 中 高頻開(kāi)關(guān)電源
    研究進(jìn)展與挑戰(zhàn)
    前沿方向：

    納米晶化技術(shù)：通過(guò)快速凝固制備50-100nm晶粒，提升μ?至200,000 H/m。

    復(fù)合涂層：表面沉積SiO?/Al?O?薄膜，耐蝕性提升3倍。

    技術(shù)瓶頸：

    薄帶厚度<0.01mm時(shí)易脆裂

    高頻（>10 MHz）下磁損耗陡增

    結(jié)論

    1J85合金憑借其卓越的軟磁性能和成熟的加工體系，在高端電子制造領(lǐng)域占據(jù)不可替代的地位。隨著5G通信和新能源汽車(chē)的快速發(fā)展，其市場(chǎng)需求預(yù)計(jì)將以年均8%的速度增長(zhǎng)。未來(lái)需突破超薄化與高頻損耗的技術(shù)瓶頸，進(jìn)一步拓展其在太赫茲器件等新興領(lǐng)域的應(yīng)用。



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