詳細(xì)參數(shù) | |||
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品牌 | 其他 | 型號(hào) | FS225R12KE3,AGDR-81CS |
用途 | 其他 | 封裝外形 | 其他 |
材料 | 其他 | 相數(shù) | 其他 |
控制方式 | 其他 | 主電路形式 | 其他 |
頻率 | 其他 | 加工定制 | 否 |
導(dǎo)電溝道 | 其他 | 導(dǎo)電方式 | 其他 |
若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓,則MOSFET導(dǎo)通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通;若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V,則MOS 截止,切斷PNP晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件,在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓,只有在uA級(jí)的漏電流流過,基本上不消耗功率。
IGBTABB模塊FS225R12KE3/AGDR-81CS,ABB IGBT德國英飛凌、瑞士ABB
如何查看ABB變頻器ISU模塊內(nèi)IGBT哪項(xiàng)有故障?
除非IGBT有明顯的變化,比方說燒黑了之類的,否則,單憑肉眼,是無法看出IGBT是否OK的話。要想做出準(zhǔn)確的判斷的話,需要將IGBT拆下來,并用萬用表進(jìn)行測量。