| 詳細(xì)參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | 其他 | 型號 | FS225R12KE3,AGDR-71C,61C |
| 用途 | 其他 | 封裝外形 | 其他 |
| 材料 | 其他 | 相數(shù) | 其他 |
| 控制方式 | 其他 | 主電路形式 | 其他 |
| 頻率 | 其他 | 加工定制 | 否 |
| 導(dǎo)電溝道 | 其他 | 導(dǎo)電方式 | 其他 |
概述；
ABB模塊FS225R12KE3/AGDR-71C/61C
德國英飛凌、瑞士ABB,ABB模塊FS225R12KE3/AGDR-71C/61C
若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓，則MOSFET導(dǎo)通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOS 截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有在uA級的漏電流流過，基本上不消耗功率。
