| 詳細(xì)參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | 其他 | 型號(hào) | FS225R17KE3,AGDR-76CS |
| 用途 | 其他 | 封裝外形 | 其他 |
| 材料 | 其他 | 相數(shù) | 其他 |
| 控制方式 | 其他 | 主電路形式 | 其他 |
| 頻率 | 其他 | 加工定制 | 否 |
| 導(dǎo)電溝道 | 其他 | 導(dǎo)電方式 | 其他 |
IGBT模塊損壞的原因有哪些？
一、死區(qū)變窄 死區(qū)的寬窄主要取決于IGBT管的關(guān)斷時(shí)間。影響判斷時(shí)間的主要因素有：
1、環(huán)境溫度。環(huán)境溫度高，將延長(zhǎng)IGBT管的判斷時(shí)間，使同一橋臂的上、下兩管在交替導(dǎo)通過(guò)程中的死區(qū)變窄，甚至導(dǎo)致直通。這就是在夏天，模塊燒壞的故障率偏高的原因。
2、變頻器的輸出電流過(guò)大。 變頻器的輸出電流大，也會(huì)延長(zhǎng)IGBT管的關(guān)斷時(shí)間，導(dǎo)致直通。
ABBIGBT模塊FS225R17KE3/AGDR-76CS，ABB IGBT德國(guó)英飛凌、瑞士ABB
IGBT非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
什么是IGBT？它的作用是什么？
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。
