| 詳細(xì)參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | 其他 | 型號(hào) | FS450R12KE3,AGDR-71C,61C |
| 用途 | 其他 | 封裝外形 | 其他 |
| 材料 | 其他 | 相數(shù) | 其他 |
| 控制方式 | 其他 | 主電路形式 | 其他 |
| 頻率 | 其他 | 加工定制 | 否 |
| 導(dǎo)電溝道 | 其他 | 導(dǎo)電方式 | 其他 |
但是目前的風(fēng)電變流器都是690V的，IGBT的耐壓也就足夠了。 IGBT和IGCT，誰是電力電子器件的發(fā)展方向？
目前學(xué)術(shù)界正在爭(zhēng)論，雖然IGCT出現(xiàn)晚，但至少在目前，還看不出它相對(duì)IGBT有什么優(yōu)勢(shì)。但也有可能隨著技術(shù)的發(fā)展，兩者并駕齊驅(qū)，或者都被某種新的器件代替。
與IGCT所對(duì)應(yīng)的是IEGT, IEGT也稱為壓裝式IGBT （PPI). IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)是耐壓達(dá)4KV以上的IGBT系列電力電子器件，通過采取增強(qiáng)注入的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了低通態(tài)電壓，使大容量電力電子器件取得了飛躍性的發(fā)展。
ABB英飛凌模塊FS450R12KE3/AGDR-71C/61C
IGCT使變流裝置在功率、可靠性、開關(guān)速度、效率、成本、重量和體積等方面都取得了巨大進(jìn)展，給電力電子成套裝置帶來了新的飛躍。IGCT是將GTO芯片與反并聯(lián)二極管和門極驅(qū)動(dòng)電路集成在一起，再與其門極驅(qū)動(dòng)器在外圍以低電感方式連接，結(jié)合了晶體管的穩(wěn)定關(guān)斷能力和晶閘管低通態(tài)損耗的優(yōu)點(diǎn)，在導(dǎo)通階段發(fā)揮晶閘管的性能，關(guān)斷階段呈現(xiàn)晶體管的特性。IGCT具有電流大、阻斷電壓高、開關(guān)頻率高、可靠性高、結(jié)構(gòu)緊湊、低導(dǎo)通損耗等特點(diǎn)，而且造成本低，成品率高，有很好的應(yīng)用前景。
