| 詳細(xì)參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | TANISS | 型號(hào) | 6英寸8英寸12英寸 |
| 類(lèi)型 | 元素半導(dǎo)體材料 | 材質(zhì) | 陶瓷 |
| 產(chǎn)品名稱(chēng) | PVD(氣相沉積)加熱盤(pán)ESC靜電吸盤(pán)維 | 牌號(hào) | TANISS |
| 用途 | 等離子刻蝕機(jī) | 顏色 | 其他 |
| 規(guī)格尺寸 | 6英寸8英寸12英寸 | ||
半導(dǎo)體IC的生產(chǎn)必須經(jīng)過(guò)薄膜的化學(xué)及（氣相淀積），于是便有了光刻和蝕刻兩道***重要的工藝 。在芯片加工過(guò)程中，光刻機(jī)放樣，刻蝕機(jī)施工，清洗機(jī)清洗。其中蝕刻這道工序，必須用到蝕刻機(jī)專(zhuān)用靜電吸盤(pán)。
氣相沉積(Physical Vapor Deb，PVD)技術(shù)表示在真空條件下，采用物理方法。，將材料源——固體或液體表面氣化成氣態(tài)原子、分子或部分電離成離子，并通過(guò)低壓氣體（或等離子體）過(guò)程，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù)。 （氣相沉積）的主要方法有，真空蒸鍍、濺射鍍膜、電弧等離子體鍍、離子鍍膜，及分子束外延等。發(fā)展到目前，（氣相沉積）技術(shù)不僅可沉積金屬膜、合金膜、還可以沉積化合物、陶瓷、半導(dǎo)體、聚合物膜等。