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IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP(原來為NPN)晶體管提供基極電流，使IGBT導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N-溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N-層的空穴（少子），對(duì)N-層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N-層的電阻，使IGBT在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓。

上海鉑古電子科技有限公司專注于電子元器件的供應(yīng)。多年來，始終秉承“質(zhì)量成就夢(mèng)想”的理念，樹立“大家的道徑、共同的事業(yè)”的價(jià)值觀，充分弘揚(yáng)“真誠(chéng)、奉獻(xiàn)、向上”的精神風(fēng)尚，塑造了具有國(guó)際竟?fàn)幍牡缽狡髽I(yè)文化。目前銷售國(guó)內(nèi)外知名品牌電力電子半導(dǎo)體器件、變頻器、變頻器配件、鋁電解電容和功率模塊。

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