| 詳細參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | 日本富士電機 | 型號 | 2MBI200VB-120-50 |
| 用途 | 其他 | 封裝外形 | 其他 |
| 材料 | 其他 | 相數(shù) | 三相 |
| 控制方式 | 其他 | 主電路形式 | 其他 |
| 頻率 | 其他 | 加工定制 | 否 |
| 導電溝道 | 其他 | 導電方式 | 其他 |
| 極間電容 | 1 | 開啟電壓 | 1 |
| 夾斷電壓 | 1 | 最大漏極電流 | 1 |
| 低頻噪聲系數(shù) | 1 | 最大散熱功率 | 1 |
| 產(chǎn)品認證 | 1 | 產(chǎn)地 | 1 |
IGBT非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領域。 圖1所示為一個N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+ 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P 型區(qū)(包括P+ 和P 一區(qū))(溝道在該區(qū)域形成)，稱為亞溝道區(qū)( Subchannel region )。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+ 區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)( Drain injector )，它是IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進行導電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。 IGBT 的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET 的溝道形成后，從P+ 基極注入到N 一層的空穴(少子)，對N 一層進行電導調(diào)制，減小N 一層的電阻，使IGBT 在高電壓時，也具有低的通態(tài)電壓。
上海鉑古電子科技有限公司專注于電子元器件的供應。多年來，始終秉承“質(zhì)量成就夢想”的理念，樹立“大家的道徑、共同的事業(yè)”的價值觀，充分弘揚“真誠、奉獻、卓越、向上”的精神風尚，全面塑造了具有國際竟爭的道徑企業(yè)文化。目前銷售國內(nèi)外知名品牌電力電子半導體器件、變頻器、變頻器配件、鋁電解電容和功率模塊。