| 詳細(xì)參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | HarmonicDrive | 型號 | FHA-40C-100-E250 |
| 類型 | 諧波減速器 | 載荷狀態(tài) | 強沖擊載荷 |
| 傳動比級數(shù) | 雙級 | 軸的相對位置 | 臥式減速器 |
| 傳動布置形式 | 同軸式 | 加工定制 | 是 |
| 樣品或現(xiàn)貨 | 現(xiàn)貨 | 齒面硬度 | 軟齒面 |
| 布局形式 | 三環(huán)式 | 用途 | 減速機 |
| 輸入轉(zhuǎn)速 | 3000rpm | 額定功率 | 360kw |
| 輸出轉(zhuǎn)速范圍 | 50rpm | 許用扭矩 | 691N.m |
| 使用范圍 | 礦產(chǎn) | 減速比 | 23 |
| 產(chǎn)地 | 日本 | ||
氣相外延工藝和CVD方法類似，通過包含反應(yīng)物的攜載氣體，哈默納科分子束諧波FHA-40C-100-E250-BC在襯底表面淀積同質(zhì)材料。外延工藝主要用于在硅襯底表面淀積多晶硅薄膜，這些多晶硅是摻雜的硅晶體且晶向隨機排列，用于在硅襯底指定區(qū)域?qū)崿F(xiàn)導(dǎo)電。外延工藝與CVD方法的工藝設(shè)備結(jié)構(gòu)基本相同。使用時用H2作為攜載氣體。為安全起見，在工藝開始之前哈默納科分子束諧波FHA-40C-100-E250-BC采用N2清除反應(yīng)爐中可能存在的O2。外延層的形成過程如圖所示，化學(xué)反應(yīng)公式見式（2-3）所示為一種氣相外延設(shè)備。
分子束外延是一種在晶體基片上生長高質(zhì)量的哈默納科分子束諧波FHA-40C-100-E250-BC晶體薄膜的新技術(shù)。在超高真空條件下，
