| 詳細(xì)參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | HarmonicDrive | 型號(hào) | SHD-20-100-2SH |
| 類型 | 諧波減速器 | 載荷狀態(tài) | 中等沖擊載荷 |
| 傳動(dòng)比級(jí)數(shù) | 三級(jí) | 軸的相對(duì)位置 | 立式加速器 |
| 傳動(dòng)布置形式 | 擺線式 | 加工定制 | 是 |
| 樣品或現(xiàn)貨 | 現(xiàn)貨 | 齒面硬度 | 軟齒面 |
| 布局形式 | 三環(huán)式 | 用途 | 減速機(jī) |
| 輸入轉(zhuǎn)速 | 3000rpm | 額定功率 | 111kw |
| 輸出轉(zhuǎn)速范圍 | 50rpm | 許用扭矩 | 691N.m |
| 使用范圍 | 化工 | 減速比 | 46 |
| 產(chǎn)地 | 日本 | ||
以下，按著化學(xué)氣相沉積的研發(fā)歷程，分別簡(jiǎn)介「常壓化學(xué)氣相沉積」、哈默納科蒸汽爐諧波傳動(dòng)SHD-20-100-2SH「低壓化學(xué)氣相沉積」、及「電漿輔助化學(xué)氣相沉積」：
1、 常壓化學(xué)氣相沉積(AtmosphericPressureCVD；APCVD)
最早研發(fā)的CVD系統(tǒng)，顧名思義是在一大氣壓環(huán)境下操作，哈默納科蒸汽爐諧波傳動(dòng)SHD-20-100-2SH設(shè)備外貌也與氧化爐管相類似。欲成長(zhǎng)之材料化學(xué)蒸氣自爐管上游均勻流向硅晶，至于何以會(huì)沉積在硅晶表面，可簡(jiǎn)單地以邊界層(boundarylayer)理論作定性說明：? 當(dāng)具黏性之化學(xué)蒸氣水平吹拂過硅芯片時(shí)，硅芯片與爐管壁一樣，都是固體邊界，哈默納科蒸汽爐諧波傳動(dòng)SHD-20-100-2SH因著靠近芯片表面約1mm的邊界層內(nèi)速度之大量變化(由邊界層外緣之蒸氣速度減低到芯片表面之0速度)，會(huì)施予一拖曳外力
