| 詳細(xì)參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | HarmonicDrive | 型號(hào) | CSF-11-50-2XH-F |
| 類(lèi)型 | 無(wú)級(jí)減速器 | 載荷狀態(tài) | 中等沖擊載荷 |
| 傳動(dòng)比級(jí)數(shù) | 雙級(jí) | 軸的相對(duì)位置 | 立式加速器 |
| 傳動(dòng)布置形式 | 擺線(xiàn)式 | 加工定制 | 是 |
| 樣品或現(xiàn)貨 | 樣品 | 齒面硬度 | 軟齒面 |
| 布局形式 | 三環(huán)式 | 用途 | 減速機(jī) |
| 輸入轉(zhuǎn)速 | 3000rpm | 額定功率 | 360kw |
| 輸出轉(zhuǎn)速范圍 | 50rpm | 許用扭矩 | 691N.m |
| 使用范圍 | 化工 | 減速比 | 463 |
| 產(chǎn)地 | 日本 | ||
不過(guò)因?yàn)樯疃群軠\，一般還是簡(jiǎn)單認(rèn)定大部份離子是攙雜在表面上日本HD驅(qū)動(dòng)直聯(lián)諧波CSF-11-50-2XH-F，然后進(jìn)一步利用驅(qū)入（drive-in）來(lái)調(diào)整濃度分布，并對(duì)離子撞擊過(guò)的區(qū)域，進(jìn)行結(jié)構(gòu)之修補(bǔ)。基本上，其為一低溫制程，故可直接用光阻來(lái)定義植入的區(qū)域。
(五)化學(xué)日本HD驅(qū)動(dòng)直聯(lián)諧波CSF-11-50-2XH-F氣相沉積(ChemicalVaporDeb；CVD)
到目前為止，只談到以高溫爐管來(lái)進(jìn)行二氧化硅層之成長(zhǎng)。至于其它如多晶硅(poly-silicon)、氮化硅(silicon-nitride)、鎢或銅金屬等薄膜材料，要如何成長(zhǎng)堆棧至硅晶圓上？
基本上仍是采用高溫爐管，只是因著不同的化學(xué)沉積過(guò)程日本HD驅(qū)動(dòng)直聯(lián)諧波CSF-11-50-2XH-F，有著不同之工作溫度、壓力與反應(yīng)氣體，統(tǒng)稱(chēng)為「化學(xué)氣相沉積」。
