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產(chǎn)品簡介
美國 KRI 射頻離子源 RFICP 220
產(chǎn)品價格:¥10.00元/臺
上架日期:2020-09-09
發(fā)貨地:上海 浦東新區(qū)
供應(yīng)數(shù)量:不限
最少起訂:1臺
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詳細(xì)說明
    詳細(xì)參數(shù)
    品牌KRI型號KRI射頻離子源RFIRFICP220
    加工定制

    上海伯東代理美國考夫曼博士設(shè)立的考夫曼公司 KRI 射頻離子源 RFICP 220, 大面積高能量柵極離子源.

    離子束流: >800 mA; 離子動能: 100-1200 V; 中和器: LFN 2000; 流量(Typical flow): 10-40 sccm; 壓力: < 0.5m Torr

    離子束可聚焦, 平行, 散射.

    采用射頻技術(shù)產(chǎn)生離子, 無需電離燈絲, 工藝時間更長.

    通入氣體可選 Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, others.


    伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術(shù)參數(shù):

    離子源型號

    RFICP 220

    Discharge

    RFICP 射頻

    離子束流

    >800 mA

    離子動能

    100-1200 V

    柵極直徑

    20 cm Φ

    離子束

    聚焦, 平行, 散射

    流量

    10-40 sccm

    通氣

    Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

    典型壓力

    < 0.5m Torr

    長度

    30 cm

    直徑

    41 cm

    中和器

    LFN 2000

    * 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量


    伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 220 應(yīng)用領(lǐng)域:

    1. 預(yù)清洗

    2. 表面改性

    3. 輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜)IBAD,

    4. 濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC

    5. 離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD

    6. 離子蝕刻 IBE

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