| 詳細參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | HarmonicDrive | 型號 | CSF-17-80-2A-R |
| 類型 | 齒輪-蝸桿減速器 | 載荷狀態(tài) | 強沖擊載荷 |
| 傳動比級數(shù) | 雙級 | 軸的相對位置 | 立式加速器 |
| 傳動布置形式 | 擺線式 | 加工定制 | 是 |
| 樣品或現(xiàn)貨 | 樣品 | 齒面硬度 | 軟齒面 |
| 布局形式 | 三環(huán)式 | 用途 | 減速機 |
| 輸入轉(zhuǎn)速 | 3000rpm 1440rpm | 額定功率 | 111kw |
| 輸出轉(zhuǎn)速范圍 | 47.6rpm | 許用扭矩 | 691N.m |
| 使用范圍 | 化工 | 減速比 | 46 |
| 產(chǎn)地 | 日本 | ||
一、 晶圓制作
硅晶圓(siliconwafer)是一切集成電路芯片的制作母材。既然說到晶體哈默納科迷你諧波齒輪CSF-17-80-2A-R ，顯然是經(jīng)過純煉與結(jié)晶的程序。目前晶體化的制程，大多是采「柴可拉斯基」(Czycrasky)拉晶法(CZ法)。拉晶時，將特定晶向(orientation)的晶種(seed)，浸入過飽和的純硅熔湯(Melt)中，并同時旋轉(zhuǎn)拉出，硅原子便依照晶種晶向，哈默納科迷你諧波齒輪CSF-17-80-2A-R乖乖地一層層成長上去，而得出所謂的晶棒(ingot)。晶棒的阻值如果太低，代表其中導(dǎo)電雜質(zhì)(impuritydopant)太多，還需經(jīng)過FZ法(floating-zone)的再結(jié)晶(re-crystallization)，將雜質(zhì)逐出，提高純度與阻值。
二、 半導(dǎo)體制程設(shè)備
半導(dǎo)體制程概分為三類：(1)薄膜成長哈默納科迷你諧波齒輪CSF-17-80-2A-R，(2)微影罩幕，(3)蝕刻成型
