| 詳細(xì)參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | 德立 | 型號(hào) | 3BSE008922R100 |
| 級(jí)數(shù) | 其他 | 產(chǎn)品特點(diǎn) | 其他 |
| 定子相數(shù) | 其他 | 應(yīng)用范圍 | 其他 |
| 額定轉(zhuǎn)速 | 其他 | 額定電壓 | 其他 |
| 額定功率 | 其他 | 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn) | 其他 |
| 產(chǎn)品認(rèn)證 | 其他 | 加工定制 | 是 |
| 是否進(jìn)口 | 否 | 使用壽命 | 其他 |
| 產(chǎn)地 | 其他 | ||
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。
陳?。?！ 18.06.05.03.85.3
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1747-OS401
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