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BG1-1000A/3JH 隔離開(kāi)關(guān) 07-21提供報(bào)價(jià) 圖6：NDC100170A正向特性（圖源：安森美） 綜合而言，NDC100170A能夠?yàn)楣夥孀兤飨到y(tǒng)提高系統(tǒng)效率、加快工作頻率、提高功率密度、降低EMI、減小系統(tǒng)尺寸并降低成本

支持1200 V額定電壓的SiC MOSFET安森美的M1 SiC MOSFET的額定電壓為1200 V，具有每個(gè)特定器件的數(shù)據(jù)表中規(guī)定的大零柵極電壓漏極電流（IDSS）


此外，高壓輔助電源中還需包含有電壓、電流和溫度監(jiān)測(cè)、及車載網(wǎng)絡(luò)，同時(shí)需要考慮到高壓隔離　圖2：汽車高壓輔助系統(tǒng)應(yīng)用框圖　(橙色代表安森美可提供的產(chǎn)品)　選用安森美的方案，在車輛層面能達(dá)到的優(yōu)勢(shì)包括：　對(duì)系統(tǒng)輸入的反應(yīng)速度更快，如可以更快地加速到所需的速度、可以實(shí)現(xiàn)高粘度液體的扭矩控制　


LPDDR5特別適用于新型車輛使用的更大顯示器，能夠管理日益復(fù)雜的導(dǎo)航圖像和駕駛艙單元的控制區(qū)域　 　 ▲圖3.汽車存儲(chǔ)的需求 　 智能車輛的運(yùn)算功耗受到限制，未來(lái)的EE架構(gòu)和汽車內(nèi)存，也需要配合計(jì)算的過(guò)程變得更加節(jié)能　

BG1-1000A/3JH 隔離開(kāi)關(guān) 07-21提供報(bào)價(jià) 為了縮小產(chǎn)能差距，1992年年底，東芝將NAND flash設(shè)計(jì)授權(quán)給三星，兩年后，三星發(fā)布了16Mb NAND閃存，這是三星NAND閃存的起點(diǎn)　隨后三星又在1998年推出了28Mb NAND閃存，1999年開(kāi)發(fā)出 1Gb NAND閃存