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在2022年的VLSI研討會(huì)上，臺(tái)積電也暗示了關(guān)于微細(xì)配線，從Cu Single Damascene變更為Metal RIE+Airgap的可能性（圖9）在這里，RIE 是Reactive Ion Etching的縮寫(xiě)，這意味著直接加工金屬材料


具體的電路如下圖圖4所示　 下圖中，圖5所顯示的是經(jīng)過(guò)這種占空比電路調(diào)節(jié)后的IR2110高、低端驅(qū)動(dòng)信號(hào)　在具體的應(yīng)用過(guò)程中，工程師可以根據(jù)實(shí)際占空比的需要，通過(guò)調(diào)節(jié)電位器而得到不同的死區(qū)信號(hào)，因而也就可以得到不同占空比的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，也就是可以得到不同死區(qū)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)　


過(guò)去短短三年來(lái)，為滿足運(yùn)營(yíng)商不斷發(fā)展的建網(wǎng)需求，華為Massive MIMO產(chǎn)品先將支持頻寬從200MHz提升到400MHz，接著推出了業(yè)界#支持超大規(guī)模天線陣列的MetaAAU，可在配置更低發(fā)射功率的前提下達(dá)到與上一代產(chǎn)品相同的覆蓋能力，實(shí)現(xiàn)性能和能效雙提升

SPL-H-73M 電力儀表 07-12提供報(bào)價(jià) [3] Leslie M. Light-Based Chips Promise to Slash Energy Use and Increase Speed[J]. Engineering， 2021， 7(9): 1195-1196.