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NTS-213 單相電壓電流表 07-11提供報價

　 通過配置procsyskernelcore_pattern可以設(shè)置格式化的core文件保存位置或文件名　 　 比如： 設(shè)置core文件的文件名中是否添加pid作為擴展 echo　
#8226　 根據(jù)IEC 62053-21的三相無功功率測量精度等級1　#8226　 6通道電壓和電流抽取樣本可用@200us　#8226　 2.5kHz測量帶寬　#8226　 每個電壓和電流信號的RMS和THD（可選）計算　#8226　


GaN+SiC　雙引擎，為大功率系統(tǒng)提供高性能混合設(shè)計，為消費電子、電動汽車、太陽能、儲能等領(lǐng)域提供全系列GaN、SiC、數(shù)字隔離器產(chǎn)品，在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域全面開花結(jié)果　 　 Q2營收同增58%，并購GeneSiC將迅速提振盈利 　
1995年，IBM的一個團隊采用了一種方法，該方法不是在晶圓本身的表面制造晶體管，而是在絕緣氧化物層上的一層薄薄的硅片上制造晶體管，因此幾乎完全將晶體管與基底絕緣，稱之為SOI（silicon-on-insulator）

以ROHM#組件研發(fā)技術(shù)，在業(yè)界同等級的輸出功率激光二極管中，達(dá)到了225μm的超窄發(fā)光幅度，與290μm的市場競品相比，發(fā)光幅度縮減了22%，因此具有高光束性能，窄發(fā)射區(qū)域和高光密度，可實現(xiàn)更高的分辨率和更遠(yuǎn)的范圍

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