在許多應(yīng)用中, GaN 能夠提高功率密度和效率,因此它取代了傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 但由于 GaN 的電氣特性和它所能實現(xiàn)的性能,使用 GaN 進行設(shè)計面臨與硅不同的一系列挑戰(zhàn) 在許多應(yīng)用中, GaN 能夠提高功率密度和效率,因此它取代了傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 方法 2: (在開發(fā)環(huán)境模擬開發(fā)板掛載ubuntu.img) 請選用PC端進入論壇:bbs.witech.cnportalb?modviewaid605