然而,如果您熟悉 MOSFET 的實(shí)際電氣行為,您應(yīng)該很容易認(rèn)識(shí)到該模型與事實(shí)不符 這個(gè) R DS (on)想法看起來(lái)非常簡(jiǎn)單:當(dāng) FET 處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí),源極和漏極之間的電阻非常高,以#于我們假設(shè)電流為零 當(dāng) FET 的柵源電壓 (V GS ) 超過(guò)閾值電壓 (V TH ) 時(shí),它處于“導(dǎo)通狀態(tài)”,漏極和源極通過(guò)電阻等于 R DS(on) 的溝道連接