| 詳細(xì)參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | HS | 型號 | HS229 |
| 輸出信號 | 膺數(shù)字型 | 制作工藝 | 集成 |
| 材質(zhì) | 混合物 | 材料物理性質(zhì) | 半導(dǎo)體 |
| 材料晶體結(jié)構(gòu) | 單晶 | 加工定制 | 是 |
| 精確度 | 高 | 靈敏度 | 高 |
| 重復(fù)性 | 好 | 工作溫度 | 125 |
| 額定電壓 | 3 | 密封性 | 好 |
| 線性度 | 好 | 遲滯 | 低 |
| 漂移 | 低 | 產(chǎn)地 | 襄陽市 |
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HS229是一款鎖存型，高靈敏度微功耗的霍爾效應(yīng)開關(guān)芯片，采用了混合信號的CMOS制程，工作電壓范圍為2.5V
到5.5V。
芯片采用了先進(jìn)的動態(tài)失調(diào)消除技術(shù)、斬波放大技術(shù)、溫度漂移補(bǔ)償技術(shù)和電源電壓補(bǔ)償技術(shù)，使該芯片具有優(yōu)越
的溫度穩(wěn)定性、極低的開關(guān)點(diǎn)漂移和對物理應(yīng)力不敏感的卓越性能。
當(dāng)磁場強(qiáng)度大于工作點(diǎn)BOP時，芯片輸出為低電平；當(dāng)磁場強(qiáng)度減小至釋放點(diǎn)BRP時，芯片輸出為高電平。
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