| 詳細參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | TI | 型號 | CSD86350Q5D |
| 封裝形式 | SON8 | 導(dǎo)電類型 | 其他 |
| 封裝外形 | 其他 | 集成度 | 其他 |
| 加工定制 | 否 | ||
CSD86350Q5D NexFET?電源模塊是針對同步降壓應(yīng)用的優(yōu)化設(shè)計，可在小型電流中提供高電流，高效率和高頻率的功能。 -mm×6毫米輪廓。該產(chǎn)品針對5 V柵極驅(qū)動應(yīng)用進行了優(yōu)化，提供靈活的解決方案，與外部控制器/驅(qū)動器的任何5 V柵極驅(qū)動器配合使用時，可提供高密度電源。
功能特征
1、半橋電源塊
2、25 A時90％系統(tǒng)效率
3、最多40 -A操作
4、高頻操作（高達1.5 MHz）
5、高密度SON 5 mm×6 mm占位面積
6、優(yōu)化用于5- V柵極驅(qū)動
7、低開關(guān)損耗
8、超低電感封裝
9、符合RoHS標準
10、無鹵素
11、無鉛端子電鍍
應(yīng)用
1、同步降壓轉(zhuǎn)換器
（1）高頻應(yīng)用
（2）高電流，低占空比應(yīng)用
2、多相同步降壓轉(zhuǎn)換器
3、POL DC-DC轉(zhuǎn)換器
4、IMVP，VRM和VRD應(yīng)用
