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的早期階段，可編程邏輯的一大優(yōu)勢也是如此　現(xiàn)在隨著低端 MCU 將可編程邏輯放在芯片上，也許我們會在 MCU 旁邊看到更少的低端 PLD　這不就是一個新的轉(zhuǎn)折嗎！總之，MCU 和 SoC FPGA 解決了類似的應用問題，并開始爭奪應用主導地位　
“高能效對于多種大電流電源應用#關(guān)重要，包括工業(yè)電機驅(qū)動器、可再生能源系統(tǒng)和固態(tài)變壓器


” 高能效對于多種大電流電源應用#關(guān)重要，包括工業(yè)電機驅(qū)動器、可再生能源系統(tǒng)和固態(tài)變壓器
盡管硅長期以來一直是這些應用中使用的主要半導體，但由于SiC提供的#靜態(tài)和動態(tài)性能，中壓碳化硅 MOSFET 功率模塊正成為替代當前 Si IGBT 模塊的#佳解決方案　盡管硅長期以來一直是這些應用中使用的主要半導體，但由于SiC提供的#靜態(tài)和動態(tài)性能，中壓碳化硅　

MOSFET　功率模塊正成為替代當前 Si　IGBT　模塊的#佳解決方案　中壓 SiC MOSFET 和 JFET 器件已由多家供應商開發(fā)，電壓范圍從 3.3 kV 到 15 kV，以及基于單芯片技術(shù)的 3.3-kV SiC MOSFET　2本文將重點介紹基于 1.2-kV SiC MOSFET 串聯(lián)連接的 7.2-kV60-A SiC AusTIn SuperMOS　

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