TCDQ-CS20S智能除濕裝置 巴州區(qū)第二中學技改
R1CR3 是實現靜態(tài)電壓平衡所需的 1-MΩ 電阻器，而 C1CC3 用于動態(tài)電壓平衡并作為導通門電路的一部分用于上部開關 Q2-Q3 Rg2-Rg3 電阻用于限制開關期間柵極支路的充電和放電電流，而 Dz2-Dz3 是齊納二極管，用于鉗位 Q2-Q3 的柵極電壓
#后，D1CD2 是 1-kV 雪崩二極管，用于鉗位電壓并在開啟期間增強柵極驅動器性能 圖5：一支路電流回路及電流路徑PCB設計 當正柵極信號施加到其柵極時，Q1 導通 隨著 Q2 的柵源電壓 (V GS ) 變?yōu)檎?，其漏源電?(V DS ) 趨于下降，從而降低了 Q2 源極的電位
達到閾值電壓 (V TH ) 后，Q2 開始導通，其 V DS隨后開始下降，從而導通 Q3 要關閉模塊，應向 Q1 的柵極施加負柵極驅動器信號，將其關閉 它的 V DS開始增加，導致負的 V GS被施加到 Q2 當 Q2 的 V GS達到其閾值電壓時，它關斷，其 V DS開始增加，導致 Q3 關斷
為了減少內部電壓過沖，需要具有極低雜散電感的電源回路 為了實現超低雜散電感，應用了電流的磁抵消效應 Q3D 仿真表明環(huán)路電感等于 35 nH，包括 PCB 和分立 SiC MOSFET 的電感 通過用裸片芯片代替分立的 MOSFET，可以進一步降低電感
績效衡量所有性能測量均在室溫下進行 圖 6 顯示了作為外加電壓函數的泄漏電流 在 3 kV 時，其下（低側）和上（高側）開關的值為 4 mA，主要是由于靜態(tài)平衡電阻器 然而，它的值可以通過使用更大的電阻來降低 圖 7 顯示了在 V GS 20 V 時測量和計算的正向傳導特性
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