圖5所示的雷達(dá)圖總結(jié)了第4代750V FET與650V-750V競爭對手的比較優(yōu)勢. 當(dāng)考慮關(guān)鍵的硬開關(guān)和軟開關(guān)參數(shù)時， SiC FET是#的，超低的單位面積導(dǎo)通電阻允許標(biāo)準(zhǔn)分立封裝， 其性能水平是現(xiàn)有 Si 或新興的 WBG 競爭技術(shù)無法實(shí)現(xiàn)的 圖5.UnitedSiC 750V FET的雷達(dá)圖，關(guān)鍵參數(shù)歸一化（注：值越低越好） 總而言之， 這些來自 UnitedSiC 的 SiC FET 通過先進(jìn)的第4代技術(shù)實(shí)現(xiàn)了全新的性能水平
UnitedSiC 憑借#低的 RDS（on） 6mOhm SiC FET擴(kuò)展了其性能領(lǐng)先地位， 并通過該電壓等級中#廣泛的WBG產(chǎn)品組合為用戶提供了急需的設(shè)計靈活性. 通過增加750V選項(xiàng)， 設(shè)計人員現(xiàn)在擁有了額外的總線電壓裕量 DDR是安卓、Windows、Linux、IOS這些系統(tǒng)中不可或缺的部份、這講主要介紹DDR與PCIE知識及PCB設(shè)計方法，包含DDR的拓?fù)洹DR信號分組、DDR時序約束設(shè)計、PCIE介紹與PCB設(shè)計方法
