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LP-CS88電箱除濕器 新北區(qū)會(huì)展中心項(xiàng)目
圖 4. 750V第4代UnitedSiC JFET 單位面積導(dǎo)通電阻，而 SiC 的額定電壓為 650V 設(shè)計(jì)易用性再次成為特點(diǎn)， 因?yàn)樗衅骷伎梢杂脴?biāo)準(zhǔn)的0V#12V或15V柵極驅(qū)動(dòng)電壓安全驅(qū)動(dòng)，在一個(gè)真正的 5V 門限電壓條件下保持了良好的噪聲裕量


SiC FET 提供業(yè)界#佳的比導(dǎo)通電阻（圖 4）， 可在整個(gè)溫度范圍內(nèi)大幅降低傳導(dǎo)損耗　與前幾代產(chǎn)品一樣， 這些碳化硅 FET 可在所有典型的 Si IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET 驅(qū)動(dòng)電壓下工作， 并包括一個(gè)內(nèi)置的 ESD 柵極保護(hù)鉗　

除了低導(dǎo)通電阻外， 這些碳化硅 FET 還可在硬開關(guān)和軟開關(guān)電路中提高效率. 在圖騰柱PFC或標(biāo)準(zhǔn)2電平逆變器等硬開關(guān)電路中， 單位面積的低導(dǎo)通電阻和低輸出電容以及低壓Si MOSFET中接近零的存儲(chǔ)電荷相結(jié)合， 可提供出色的反向恢復(fù)電荷（Qrr）和低EossQoss


這些器件具有出色而堅(jiān)固的集成二極管， 具有低壓降 VF （這些碳化硅 FET 還可在 LLC 或 PSFB 等高頻軟開關(guān)諧振轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲刑峁└倪M(jìn)的性能. 750V器件的突破性性能是導(dǎo)通電阻已大幅降低， 同時(shí)，為任何給定的RDS（on）提供較低的輸出電容C oss（tr）， 軟開關(guān)FOM（表示為 RDS（on） x Coss（tr） ）優(yōu)勢(shì)在整個(gè)有用工作溫度范圍內(nèi)都是同類產(chǎn)品中#好的