CS60B智能除濕裝置 點軍區(qū)有源配電網(wǎng)數(shù)字化
在t2時刻，二極管正向電流為零，負載電流在此過程中不發(fā)生改變，二極管反向恢復電流由IGBT承擔，此時IGBT電流超過輸出電流 在t3時刻，流過IGBT的電流等于輸出電流Io和二極管反向恢復峰值電流IRR之和，二極管開始恢復反向阻斷能力，反向恢復電流開始逐步減少
這一期間，IGBT和二極管都有能量損耗 t4時刻，由于寄生電感和寄生電容而引起振鈴現(xiàn)象 在t4~t5期間，IGBT的集電極電壓達到穩(wěn)定狀態(tài) IGBT實際關(guān)斷波形見圖7，關(guān)斷開始時柵極電壓減少，柵射極電容CGE放電，t1時刻柵極電流恰好使IGBT進入臨界飽和，輸出電流Io全部由IGBT供給
t1時刻開始uCE開始緩慢上升 從t2時刻開始，當uCE增加到10V以后，密勒電容CGC的容量大大減小，明顯減少了從集電極到柵極的反饋電流，uGE向零下降，uCE迅速向直流母線電壓上升 t3時刻，IGBT集電極電壓達到直流母線電壓，輸出電流轉(zhuǎn)由續(xù)流二極管提供，完成關(guān)斷過程
1.2.2 分立IGBT器件特性及應(yīng)用基礎(chǔ)IGBT芯片的特性直接決定了IGBT器件的特性，同時又受到其它外圍驅(qū)動參數(shù)的影響，對于分立IGBT的實際應(yīng)用來說，驅(qū)動保護設(shè)計與散熱設(shè)計是其中兩個#重要的技術(shù)要點，對于器件的運行乃#電力變換裝置的可靠性和壽命#關(guān)重要
由于IGBT門極采用了MOSFET柵結(jié)構(gòu)，利用電壓驅(qū)動，具有開關(guān)速度快#65380 頻率特性好的特點，另一方面電壓驅(qū)動又使其門極易受到電壓干擾，特別是器件本身的寄生參數(shù)或線路中寄生參數(shù)導致的浪涌電壓都會對分立IGBT的運行產(chǎn)生影響 同時分立IGBT作為功率器件，工作時需要承受高壓#65380
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