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因此僅僅了解器件的通態(tài)、阻態(tài)遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠，要充分發(fā)揮器件的性能，需要更好地了解器件的開通特性和關(guān)斷特性及這些特性與器件寄生參數(shù)之間的關(guān)系　 圖4是IGBT半橋開關(guān)測(cè)試電路，采用電感作為開關(guān)測(cè)試的負(fù)載，可以用來對(duì)IGBT的開關(guān)進(jìn)行評(píng)價(jià)　圖4中虛線部分為IGBT的寄生電容，這些寄生電容對(duì)于IGBT的開關(guān)特性有直接影響　


圖5是IGBT的理想開通波形，柵極驅(qū)動(dòng)電壓UG在t0時(shí)刻通過柵極電阻RG加到IGBT柵極，UGE開始上升，向IGBT的柵射極電容CGE充電，當(dāng)UGE上升到IGBT開啟電壓時(shí)，IGBT集電極電流Ic開始隨著UGE上升而上升，同時(shí)續(xù)流二極管的電流開始下降，續(xù)流二極管電流和IGBT電流之和等于輸出電流Io

在t1~t2期間，續(xù)流二極管的電流下降但仍處于正向偏置導(dǎo)通，這意味著直流母線電壓仍然加在IGBT的C和E兩端，IGBT輸出電流是Io的一部分，這期間IGBT的功率損耗較大　從t2時(shí)刻起，負(fù)載電流全部由IGBT承擔(dān)，此時(shí)二極管電流下降到零　 圖6是IGBT的實(shí)際開通波形，考慮了二極管反向恢復(fù)和寄生電感的影響　


當(dāng)IGBT電流Ic在t1時(shí)刻開始上升時(shí)，寄生電感影響電流變化率，uCE下降引起寄生電容CGC(密勒電容)放電，該電流從柵極流向集電極，減少了向柵射極電容充電，從而使uGE上升率減少，導(dǎo)致集電極電流上升率減少